News release: Identifying imperfections with Raman spectroscopy (pdf)
Fájlméret: 2,25 MB
Idioma: English
An article in Compound Semiconductor magazine, October 2015, describes how Raman spectroscopy allows routine mapping of SiC wafers in little more than an hour.
Ehhez a fájltípushoz megtekintő programra van szükség, amely ingyenesen szerezhető be itt Adobe
Nem találta, amit keresett?
mondja el, hogy mit nem talált meg, és mindent megteszünk, hogy segítsünk